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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1407PBF
IRF1407PBF PDF预览

IRF1407PBF

更新时间： 2024-09-13 03:58:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 164K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF1407PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.83其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：390 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A最大漏极电流 (ID)：130 A
最大漏源导通电阻：0.0078 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：330 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1407PBF 数据手册

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PD - 95485  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1407PbF  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
O
O
O
Integrated Starter Alternator  
42 Volts Automotive Electrical Systems  
Lead-Free  
D
VDSS = 75V  
Benefits  
R
DS(on) = 0.0078Ω  
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
G
ID = 130A†  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar  
design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction  
operating temperature, fast switching speed and improved repetitive  
avalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremely  
efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide  
variety of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
130†  
92†  
520  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
330  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
390  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
4.6  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.45  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
06/30/04  
1234567...10

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IRF1407PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFB3307PBF INFINEON

类似代替

 HEXFETPower MOSFET
IRFB3077PBF INFINEON

类似代替

 High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
STP140NF75 STMICROELECTRONICS

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, I
IRF1407SPBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) =
IRF1407STRL INFINEON

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		暂无描述
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 		Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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