5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.089 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF140ES | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
|
| IRF140R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 55V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
|
| IRF140SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRF141 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF141 | ROCHESTER |
获取价格 |
28A, 80V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-240AE, TO-204AE, 2 PIN |
|
| IRF141 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF141 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF141R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF142 | ROCHESTER |
获取价格 |
25A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF142 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
