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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-240AE |
| 包装说明： | TO-204AE, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.19 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 118 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF141R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF142 | ROCHESTER |
获取价格 |
25A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| IRF142 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF142 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
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| IRF142 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF142 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 100V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF142R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 100V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF143 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
|
| IRF143 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF143 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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