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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1407LPBF
IRF1407LPBF PDF预览

IRF1407LPBF

更新时间： 2024-09-13 03:58:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 254K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078ヘ , ID = 100A )

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IRF1407LPBF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：390 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0078 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：520 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1407LPBF 数据手册

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PD -95486  
IRF1407SPbF  
IRF1407LPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Benefits  
O
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 75V  
RDS(on) = 0.0078Ω  
G
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodatingdiesizesuptoHEX-4. Itprovidesthehighest  
powercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinany  
existing surface mount package. The D2Pak is suitable for  
highcurrentapplicationsbecauseofitslowinternalconnection  
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface  
mount application.  
ID = 100A†  
S
D2Pak  
TO-262  
IRF1407S  
IRF1407L  
The through-hole version (IRF1407L) is available for low-  
profile applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vˆ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vˆ  
Pulsed Drain Current ˆ  
100†  
70†  
A
520  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
W
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
390  
Single Pulse Avalanche Energy‚ˆ  
Avalanche Current  
mJ  
A
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒˆ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
4.6  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient(PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
**When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer  
to application note #AN-994.  
www.irf.com  
1
06/30/04  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1407PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1407S INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, I
IRF1407SPBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) =
IRF1407STRL INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		暂无描述
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