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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1405ZL
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IRF1405ZL

更新时间： 2024-11-29 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF1405ZL 数据手册

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PD - 94645A  
IRF1405Z  
IRF1405ZS  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1405ZL  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 4.9mΩ  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
G
ID = 75A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
binetomakethisdesignanextremelyefficientand  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
IRF1405ZS  
TO-262  
IRF1405ZL  
TO-220AB  
IRF1405Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
150  
110  
75  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
@ T = 25°C  
C
600  
230  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
1.5  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
270  
420  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
T
J
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.65  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
08/29/03  
1234567...12

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IRF1405ZL 替代型号

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