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IRF1405ZSTRL-7PPBF PDF预览

IRF1405ZSTRL-7PPBF

更新时间： 2024-11-27 20:54:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 319K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-7

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IRF1405ZSTRL-7PPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：590 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1405ZSTRL-7PPBF 数据手册

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PD - 97206B  
IRF1405ZS-7PPbF  
IRF1405ZL-7PPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
VDSS = 55V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
‰
RDS(on) = 4.9mΩ  
G
S
ID = 120A  
S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)  
G (Pin 1)  
Description  
ThisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthelatest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating.These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
D2Pak7Pin  
TO-263CA 7 Pin  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
150  
100  
120  
590  
230  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
1.5  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
250  
810  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.65  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
07/14/10  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) =
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB

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