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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1405ZPBF
IRF1405ZPBF PDF预览

IRF1405ZPBF

更新时间： 2024-11-27 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 809K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 75A )

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IRF1405ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.81其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：420 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1405ZPBF 数据手册

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PD - 97018  
IRF1405ZPbF  
IRF1405ZSPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1405ZLPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 4.9mΩ  
G
ID = 75A  
Description  
S
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
binetomakethisdesignanextremelyefficientand  
reliable device for use in Automotive applications  
and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRF1405ZPbF  
IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
150  
110  
75  
Units  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
@ T = 25°C  
C
600  
230  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
1.5  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS (Thermally limited)  
270  
420  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
T
J
-55 to + 175  
T
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.65  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
07/22/05  
1234567...13

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