5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1405PBF
IRF1405PBF PDF预览

IRF1405PBF

更新时间： 2024-02-13 01:14:24
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 208K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF1405PBF 数据手册

 浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1405PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94969  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1405PbF  
Typical Applications  
●
●
●
●
●
●
Electric Power Steering (EPS)  
Anti-lock Braking System (ABS)  
Wiper Control  
Climate Control  
Power Door  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
Lead-Free  
RDS(on) = 5.3mΩ  
Benefits  
G
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
ID = 169A†  
S
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Additional  
features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C  
junction operating temperature, fast switching speed  
andimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefits  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
169†  
118†  
A
680  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
330  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
560  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
°C/W  
RθJC  
0.45  
–––  
62  
RθCS  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
RθJA  
www.irf.com  
1
02/02/04  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRF1405PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF1405 INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRF1405ZPBF INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.
IRFB3206PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IRF1405PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1405S KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405S INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=13
IRF1405SPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.
IRF1405STRL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB
IRF1405STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1405STRR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 131A I(D) | TO-263AB
IRF1405Z INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405ZL INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405ZL-7P INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405ZL-7PPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =

与IRF1405PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证