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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 590 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1405ZS-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
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| IRF1405ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4. |
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| IRF1405ZSTRL-7P | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRF1405ZSTRL7PP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IRF1405ZSTRL-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRF1405ZSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF1405ZSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF1405ZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF1407 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id= |
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| IRF1407L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078з, I |
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