IRF1404ZSPBF

更新时间： 2024-09-13 03:58:07

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描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF1404ZSPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IRF1404ZSPBF 数据手册

PD - 96040

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF1404ZPbF

IRF1404ZSPbF

IRF1404ZLPbF

Features

Advanced Process Technology

HEXFET^®Power MOSFET

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

V_DSS= 40V

R_DS(on)= 3.7mΩ

Description

I_D= 75A

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D²Pak

IRF1404ZSPbF IRF1404ZLPbF

TO-262

TO-220AB

IRF1404ZPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

180

120

Units

(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

(Package Limited)

@ T = 25°C

710

200

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

1.3

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

330

480

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.75

Units

R_θ

°C/W

Junction-to-Case

R_θ

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

www.irf.com

01/03/06

12 3 4 5 6 7...12

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IRF1404ZSPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF1404ZSTRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N6756	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF130	INFINEON	功能相似	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)

与IRF1404ZSPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF1404ZSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1404ZSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1405	KERSEMI	获取价格	Electric Power Steering (EPS)
IRF1405	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=16
IRF1405_04	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF1405L	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=13
IRF1405L	KERSEMI	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405L	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF1405LPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.
IRF1405PBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET

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