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IRF1405

更新时间： 2024-09-12 22:48:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)

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IRF1405 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：560 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：169 A
最大漏源导通电阻：0.0053 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：680 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1405 数据手册

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PD -93991A  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1405  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
Electric Power Steering (EPS)  
Anti-lock Braking System (ABS)  
Wiper Control  
Climate Control  
Power Door  
D
VDSS = 55V  
Benefits  
RDS(on) = 5.3mΩ  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
G
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
ID = 169A†  
S
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the lastest processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Additional  
features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C  
junction operating temperature, fast switching speed  
andimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefits  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
169†  
118†  
A
680  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
330  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
560  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
°C/W  
RθJC  
0.45  
–––  
62  
RθCS  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
RθJA  
www.irf.com  
1
3/25/01  
1234567...9

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IRF1405 替代型号

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