是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.08 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 75 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MILITARY STANDARD (USA) | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV2N6756 | INFINEON |
完全替代 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) | |
IRF130 | INFINEON |
完全替代 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6757 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V | |
2N6757 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
2N6758 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V | |
2N6758 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET | |
2N6758 | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N6758TX | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
2N6758TXV | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2N6759 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V | |
2N6760 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET | |
2N6760 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |