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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.34 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6758 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V |
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| 2N6758 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6758 | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N6758TX | RENESAS |
获取价格 |
9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
|
| 2N6758TXV | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6759 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V |
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| 2N6760 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6760 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6760 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V |
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| 2N6760 | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6760 with Hermetic Packagi |
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