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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6758 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V |
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| 2N6758 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6758 | RENESAS | 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N6758TX | RENESAS | 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| 2N6758TXV | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6759 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350V/400V |
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