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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.09 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6761 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V |
|
| 2N6762 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V |
|
| 2N6762 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6762_1006 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6762PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N6762TXV | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N6763 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V |
|
| 2N6763 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| 2N6763 | NJSEMI |
获取价格 |
FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY |
|
| 2N6764 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V |
|
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