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2N6760TXV

更新时间： 2024-02-22 15:21:36

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	116K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

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2N6760TXV 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	其他特性：	RADIATION HARDENED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6760TXV 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6761	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V	获取价格
2N6762	FAIRCHILD	N-Channel Power MOSFETs, 4.5A, 450V/500V	获取价格
2N6762	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6762_1006	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N6762PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N6762TXV	MICROSEMI	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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