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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | EUROPEAN SPACE AGENCY | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6764TXV | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N6765 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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| 2N6765 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6765 | NJSEMI |
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FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY |
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| 2N6766 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| 2N6766 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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| 2N6766 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6766 with Hermetic Packagi |
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| 2N6766 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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| 2N6766BX5 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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