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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N677 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
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| 2N6770 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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| 2N6770 | INFINEON |
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500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packagi |
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| 2N6770 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V |
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| 2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6770_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
|
| 2N6770T1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| 2N6771 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
|
| 2N6771-6200 | RENESAS |
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1A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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