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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 60 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3100 ns | 最大开启时间（吨）： | 450 ns |
| VCEsat-Max： | 1 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6772-DR6259 | RENESAS | 1A, 350V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6772-DR6269 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6772-DR6280 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6773 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| 2N6773-6258 | RENESAS | 1A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6773-6263 | RENESAS | 1A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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