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2N6782EC

更新时间： 2023-01-02 14:55:28

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6782ED	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格
2N6782EPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se	获取价格
2N6782LCC4	SEME-LAB	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N6782LCC4_07	SEME-LAB	N–CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2N6782PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N6782TX	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格

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