2N6782

更新时间： 2024-11-24 06:16:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-CHANNEL MOSFET

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2N6782 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.61 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6782 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/556

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6782 2N6782U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Drain – Source Voltage

V_DS

V_GS

100

Vdc

Gate – Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

3.5

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

2.25

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

15 ⁽¹⁾

0.61 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.12 W/°C for T_C> +25°C

TO-205AF

(formerly TO-39)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 3.5A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

V_(BR)DSS

100

Vdc

_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

U – 18 LCC

Drain Current

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 80V

V_GS= 0V, V_DS= 80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 2.25A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.60

0.61

V_GS= 10V, I_D= 3.5A pulsed

T_j= +125°C

V_GS= 10V, I_D= 2.25A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

1.08

1.5

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 3.5A pulsed

Vdc

T4-LDS-0064 Rev. 1 (081246)

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2N6782 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6782	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packagi
IRFF130	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF130 with Hermetic Packag
2N6796	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6796 with Hermetic Packagi

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6782_01	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE
2N6782_11	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6782_12	MAS	获取价格	This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up t
2N6782E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
2N6782EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6782EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6782ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6782EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6782LCC4	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
2N6782LCC4_07	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET

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