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2N6784

更新时间： 2024-11-06 14:56:39

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描述
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6784 with Hermetic Packaging

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2N6784 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	48 mJ	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.25 A
最大漏极电流 (ID)：	2.25 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6784 数据手册

PD-90424E

IRFF210

JANTX2N6784

JANTXV2N6784

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

200V, N-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/556

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

I_D

IRFF210

200V

2.25A

1.5

TO-39

Description

Features

The HEXFET^®technology is the key to International

Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on state

resistance combined with high trans conductance.

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Hermetically Sealed

 Simple Drive Requirements

 ESD Rating: Class 1A per MIL-STD-750,

Method 1020

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, very fast switching and temperature stability of the

electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

2.25

1.50

9.0

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.12

± 20

V_GS

E_AS

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

I_AR

E_AR

Avalanche Current 

2.25

1.5

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

dv/dt

5.0

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2018-12-04

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6784PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N6784U	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6785	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
2N6786	SEME-LAB	获取价格	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
2N6786	NJSEMI	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENTE-MODE
2N6786	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
2N6786	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.2A I(D),TO-39
2N6786	INFINEON	获取价格	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6786 with Hermetic Packagi
2N6786E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
2N6786PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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