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2N6786E3 PDF预览

2N6786E3

更新时间： 2024-02-08 04:39:53

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
9页	806K
描述
Power Field-Effect Transistor

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2N6786E3 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.07	Base Number Matches：	1

2N6786E3 数据手册

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与2N6786E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6786PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2N6786TX	RENESAS	1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
2N6786TXV	RENESAS	1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
2N6787	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-39	获取价格
2N6788	INFINEON	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A)	获取价格
2N6788	SEME-LAB	N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE	获取价格

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