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2N6788LCC4

更新时间： 2024-09-17 06:21:31

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
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描述
N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE

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2N6788LCC4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N16	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.345 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N16	元件数量：	1
端子数量：	16	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6788LCC4 数据手册

2N6788LCC4

IRFE120

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

ENHANCEMENT MODE

9.14 (0.360)

8.64 (0.340)

1.27 (0.050)

1.07 (0.040)

≈ 2.16 (0.085)

12 13 14 15 16

FEATURES

1.39 (0.055)

1.02 (0.040)

• AVALANCHE ENERGY RATING

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

7.62 (0.300)

7.12 (0.280)

0.76 (0.030)

0.51 (0.020)

• HERMETICALLY SEALED CERAMIC

SURFACE MOUNT

0.33 (0.013)

0.08 (0.003)

Rad.

0.43 (0.017)

0.18 (0.007

Rad.

1.39 (0.055)

1.15 (0.045)

1.65 (0.065)

1.40 (0.055)

APPLICATIONS

• FAST SWITCHING

• MOTOR CONTROLS

• POWER SUPPLIES

LCC4 Ceramic Package

DSCC Package (U5)

Underside View

GATE

Pins 4,5

DRAIN

SOURCE

Pins1,2,15,16,17,18

Pins 6,7,8,9,10,11,12,13

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain Source Voltage

100V

4.5A

= 25°C

Continuous Drain Current

@ case

= 100°C

3.0A

@ case

Pulsed Drain Current

18A

Gate Source Voltage

±20V

P @ T

= 25°C

case

Maximum Power Dissipation

14W

Thermal Resistance Junction To Case

9.1°C/W

-55 to +150°C

300°C

θJ-C

T T

Operating and Storage Temperature Range

1 ”

stg

Lead Temperature

(

from case for 10 secs)

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5652

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6788PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N6788U	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6789	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
2N678A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3
2N678B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3
2N678C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-3
2N6790	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET
2N6790	FAIRCHILD	获取价格	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power
2N6790	INFINEON	获取价格	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packagi
2N6790E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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