是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BCY | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.4 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6794_01 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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2N6794LCC4 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL POWER MOSFET |
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2N6795 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-39 |
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2N6796 | INTERSIL |
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8A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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2N6796 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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2N6796 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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2N6796 | SEME-LAB |
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TMOS FET TRANSISTOR N - CHANNEL |
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2N6796 | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6796 with Hermetic Packagi |
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2N6796 |
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TMOS FET Enhancement N-Channel |
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2N6796_03 | SEME-LAB |
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TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL |
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