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2N6796

更新时间： 2024-11-24 06:17:55

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关
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2页	98K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N6796 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/557

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6796 2N6796U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

8.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

5.0

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

0.18 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 5.0A

TO-205AF

(formerly TO-39)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 80V

U – 18 LCC

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.18

0.195

_GS= 10V, I_D= 8.0A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)3

0.35

1.5

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= 8.0A pulsed

V_SD

Vdc

T4-LDS-0047 Rev. 1 (072807)

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2N6796 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6782	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packagi
JANTXV2N6796	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=8.0A)
IRFF120	INFINEON	功能相似	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

与2N6796相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6796_03	SEME-LAB	获取价格	TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL
2N6796_10	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6796E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2N6796EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796EDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
2N6796LCC4	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET

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