Datasheet > 2N6796U

2N6796U

更新时间： 2024-09-25 06:17:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
N-CHANNEL MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6796U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.195 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N15
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6796U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/557

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6796 2N6796U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

8.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

5.0

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

0.18 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 5.0A

TO-205AF

(formerly TO-39)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 80V

U – 18 LCC

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.18

0.195

_GS= 10V, I_D= 8.0A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)3

0.35

1.5

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= 8.0A pulsed

V_SD

Vdc

T4-LDS-0047 Rev. 1 (072807)

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2N6796U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6797	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-39
2N6798	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
2N6798	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6798	INFINEON	获取价格	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic Packagi
2N6798_10	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6798E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6798EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6798EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6798EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6798EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

与2N6796U相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6796U

2N6796U 技术参数

2N6796U 数据手册

与2N6796U相关器件

与2N6796U相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6796U

2N6796U 技术参数

2N6796U 数据手册

与2N6796U相关器件

与2N6796U相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？