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2N6800

更新时间： 2024-11-21 06:19:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	176K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N6800 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.25	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2N6800 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/557

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6800 2N6800U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Drain – Source Voltage

V_DS

V_GS

400

Vdc

Gate – Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

3.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

2.0

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

1.0 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

TO-205AF

(formerly TO-39)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 2.0A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

400

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

_GS= 0V, V_DS= 320V

U – 18 LCC

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 320V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 2.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

1.0

1.10

V_GS= 10V, I_D= 3.0A pulsed

T_j= +125°C

V_GS= 10V, I_D= 2.0A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

2.40

1.4

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 3.0A pulsed

Vdc

T4-LDS-0148 Rev. 1 (092062)

Page 1 of 4

12 3 4

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2N6800 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFF330	INFINEON	功能相似	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF330 with Hermetic Packag
2N6800	INFINEON	功能相似	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi

与2N6800相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6800_01	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET
2N6800E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800ECPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800LCC4	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE
2N6800SCC5205/019PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi

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