生命周期: | Transferred | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.06 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 80 pF | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MILITARY STANDARD (USA) | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 90 ns | 最大开启时间(吨): | 65 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6800U | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
获取价格 |
|
2N6801 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-39 |
获取价格 |
|
2N6802 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
获取价格 |
|
2N6802 | SEME-LAB | N–CHANNEL ENHANCEMENT |
获取价格 |
|
2N6802 | NJSEMI | POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
获取价格 |
|
2N6802 | INFINEON | 500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6802 with Hermetic Packagi |
获取价格 |