5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6804E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| 2N6804PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2N6804SCC5206/004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6804SCC5206/004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6806 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA |
|
| 2N6806SCC5206/004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6806SCC5206/004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N681 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25.12A, 25V, SCR, TO-48, METAL PACKAGE-2 |
|
| 2N681 | KNOX |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
| 2N681 | INFINEON |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
