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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | EUROPEAN SPACE AGENCY |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6804SCC5206/004PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6806 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA |
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| 2N6806SCC5206/004 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6806SCC5206/004PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N681 | STMICROELECTRONICS | 25.12A, 25V, SCR, TO-48, METAL PACKAGE-2 |
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| 2N681 | KNOX | 25 and 35 Amp RMS SCRs |
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