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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | EUROPEAN SPACE AGENCY |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6806SCC5206/004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N681 | STMICROELECTRONICS |
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25.12A, 25V, SCR, TO-48, METAL PACKAGE-2 |
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| 2N681 | KNOX |
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25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N681 | INFINEON |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N681 | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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| 2N681 | NJSEMI |
获取价格 |
DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER |
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| 2N681A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
|
| 2N681A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 25V 200A 3-Pin TO-48 Box |
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| 2N681ALEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO-48 |
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| 2N681APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, |
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