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2N6806SCC5206/004

更新时间: 2024-02-03 15:12:07
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英飞凌 - INFINEON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,

2N6806SCC5206/004 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.16
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏源导通电阻:0.8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:EUROPEAN SPACE AGENCY
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6806SCC5206/004 数据手册

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