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2N6806SCC5206/004PBF

更新时间: 2024-11-21 20:45:15
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英飞凌 - INFINEON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

2N6806SCC5206/004PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏源导通电阻:0.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:EUROPEAN SPACE AGENCY表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6806SCC5206/004PBF 数据手册

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