Datasheet > 2N6802

2N6802

更新时间： 2024-11-21 07:29:11

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		/
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
N–CHANNEL ENHANCEMENT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6802 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	0.35 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	1.725 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6802 数据手册

2N6802

IRFF430

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

BV_DSS500V

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

I_D(cont)

2.5

5.08 (0.200)

typ.

Ω

R_DS(on)1.5

2.54

(0.100)

FEATURES

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

• AVALANCHE ENERGY RATED

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

45°

TO39 – Package (TO-205AF)

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Underside View

Pin 1 – Source

Pin 2 – Gate

Pin 3 – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

2.5A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

1.5A

case

Pulsed Drain Current

11A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

25W

Linear Derating Factor

0.2W/°C

0.35mJ

3.5V/ns

–55 to +150°C

5.0°C/W

175°C/W

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

stg

θJC

θJA

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 50V , Peak I = 2.5A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 2.5A , di/dt ≤ 75A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , SUGGESTED R = 7.5Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5357

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

Issue: 1

中文翻译

下载PDF

与2N6802相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6802SCC5205/019	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6802U	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6804	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL MOSFET
2N6804_12	MAS	获取价格	This 2N6804 switching transistor is military qualified up to the JANTXV level for high-rel
2N6804E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2N6804PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2N6804SCC5206/004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6804SCC5206/004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6806	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 6.5A I(D) \| TO-204AA
2N6806SCC5206/004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

与2N6802相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6802

2N6802 技术参数

2N6802 数据手册

与2N6802相关器件

与2N6802相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6802

2N6802 技术参数

2N6802 数据手册

与2N6802相关器件

与2N6802相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？