2N6802U

更新时间： 2024-11-21 06:19:39

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	176K
描述
N-CHANNEL MOSFET

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2N6802U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2N6802U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/557

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6802 2N6802U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Drain – Source Voltage

V_DS

V_GS

500

Vdc

Gate – Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

2.5

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

1.5

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

1.5 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

TO-205AF

(formerly TO-39)

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 1.5A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

500

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

U – 18 LCC

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 400V

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 400V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 10V, I_D= 1.5A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

1.50

1.60

_GS= 10V, I_D= 2.5A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 10V, I_D= 1.5A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

3.50

1.4

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= 2.5A pulsed

Vdc

T4-LDS-0149 Rev. 1 (092063)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6804	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL MOSFET
2N6804_12	MAS	获取价格	This 2N6804 switching transistor is military qualified up to the JANTXV level for high-rel
2N6804E3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2N6804PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2N6804SCC5206/004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6804SCC5206/004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6806	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 6.5A I(D) \| TO-204AA
2N6806SCC5206/004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6806SCC5206/004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N681	STMICROELECTRONICS	获取价格	25.12A, 25V, SCR, TO-48, METAL PACKAGE-2

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