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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6802U | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6804 | MICROSEMI |
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P-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6804_12 | MAS |
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This 2N6804 switching transistor is military qualified up to the JANTXV level for high-rel |
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| 2N6804E3 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6804PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N6804SCC5206/004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6804SCC5206/004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6806 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA |
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| 2N6806SCC5206/004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6806SCC5206/004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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