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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6800EPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| 2N6800LCC4 | SEME-LAB | N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N6800SCC5205/019PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| 2N6800TX | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2N6800TXV | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2N6800U | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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