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2N6800LCC4

更新时间： 2024-11-21 07:29:11

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SEME-LAB		晶体晶体管脉冲
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N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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2N6800LCC4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N18	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N18
元件数量：	1	端子数量：	18
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6800LCC4 数据手册

2N6800LCC4

MECHANICAL DATA

N–CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

Dimensions in mm (inches)

9.14 (0.360)

8.64 (0.340)

1.27 (0.050)

1.07 (0.040)

≈ 2.16 (0.085)

12 13 14 15 16

1.39 (0.055)

1.02 (0.040)

POWER MOSFETS

7.62 (0.300)

7.12 (0.280)

0.76 (0.030)

0.51 (0.020)

BV_DSS

R_DS(on)

400V

3.0A

1.0Ω

0.33 (0.013)

0.08 (0.003)

Rad.

0.43 (0.017)

0.18 (0.007

Rad.

1.39 (0.055)

1.15 (0.045)

1.65 (0.065)

1.40 (0.055)

FEATURES

•

Dynamic dv/dt Rating

Simple Drive requirements

Ease of Paralleling

Hermetic Ceramic Surface Mount Package

LCC4 CERAMIC SURFACE

MOUNT PACKAGE

GATE PINS 4,5

DRAIN PINS 1,2,15,16,17,18

SOURCE PINS 6,7,8,9,10,11,12,13

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_CASE= 25°C unless otherwise stated

V_DSS

Drain - Source Voltage

400V

I_D

Drain Current

- Continuous (V_GS= 10V, T_C= 25°C)

- Continuous (V_GS= 10V, T_C= 100°C)

- Pulsed²

I_DM

Drain Current

12A

V_GSS

P_tot

Gate - Source Voltage

20V

Total Power Dissipation at T_case≤ 25°C

De-rate Linearly above 25°C

25W

0.20W/°C

-55 to +150°C

5.0°C/W

4V/ns

T_j,T_stg

R_thj-mb

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance Junction – Mounting Base

Peak Diode Recovery³

dv/dt

NOTES:

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Pulse Test: Pulse Width ≤ 380µS, Duty Cycle, δ 2%

3) T_J≤ 150°C, V_DD≤ BV_DSS, Suggested R_G= 7.5 , I_SD≤ 1.5A, di/dt ≤ 50A/µs

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed to be

both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab

encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

DOC 7820, ISSUE 1

Semelab plc. ^{Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.}

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6800SCC5205/019PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
2N6800TX	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2N6800TXV	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2N6800U	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6801	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-39
2N6802	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6802	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL ENHANCEMENT
2N6802	NJSEMI	获取价格	POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
2N6802	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6802 with Hermetic Packagi
2N6802SCC5205/019	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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