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2N6798

更新时间： 2024-01-03 22:30:48
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR

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2N6798 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：LCC包装说明：CERAMIC, LCC-18
针数：18Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.42 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15元件数量：1
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
晶体管元件材料：SILICON

2N6798 数据手册

 浏览型号2N6798的Datasheet PDF文件第2页 
2N6798  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE TRANSISTOR  
8
9
.
.
8
4
9
0
(
(
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1
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2
2
4
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a
m
x
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(
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7
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0
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5
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0
)
m
i
n
.
7
8
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5
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(
(
0
0
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3
3
0
3
5
5
)
)
FEATURES  
d
i
a
.
• V  
= 200V  
5
.
0
8
(
0
.
2
0
0
)
(BR)DSS  
t
y
p
.
• I = 5.5A  
2
.
5
4
D
2
(
0
.
1
0
0
)
1
3
0
1
.
.
6
1
6
4
(
(
0
0
.
.
0
0
2
4
6
5
)
)
• R  
= 0.40  
0
0
.
.
7
8
1
6
(
(
0
0
.
.
0
0
2
3
8
4
)
)
DSON  
4
5
°
TO–39 METAL PACKAGE  
Underside View  
PIN 1 – Source  
PIN 2 – Gate  
PIN 3 – Drain  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
Drain–Source Voltage  
200V  
±20V  
DS  
GS  
V
Gate–Source Voltage  
I
Drain Current Continuous T = 25°C  
5.5A  
D
C
T = 100°C  
3.5A  
C
I
I
Drain Current Pulsed  
Avalanche Current  
22A  
DM  
A
3.1A  
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
25W  
D
C
T = 100°C  
10W  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150°C  
J
STG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
R
R
Thermal Resistance Junction to Case  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Maximum Lead Temperature 1.5mm from Case for  
10 secs.  
5.0°CW  
175°CW  
JC  
JC  
T
L
300°C  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 6/99  
12

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