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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | EUROPEAN SPACE AGENCY |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6798TX | RENESAS |
获取价格 |
5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6798TXV | RENESAS |
获取价格 |
5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6798TXV | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6798U | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6799 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N6800 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6800 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6800 | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi |
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| 2N6800_01 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET |
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| 2N6800E | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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