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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6798ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6798EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6798SCC5205/019 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6798TX | RENESAS |
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5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6798TXV | RENESAS |
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5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6798TXV | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6798U | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6799 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N6800 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6800 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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