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2N6800

更新时间： 2024-02-29 12:30:15
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N6800 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified参考标准：MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6800 数据手册

 浏览型号2N6800的Datasheet PDF文件第2页 
2N6800  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
8
9
.
.
8
4
9
0
(
(
0
0
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.
3
3
5
7
)
)
POWER MOSFET  
7
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7
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5
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(
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0
0
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3
0
3
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)
6
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1
0
(
0
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2
4
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)
6
.
6
0
(
0
.
2
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0
)
BVDSS 400V  
0
.
8
9
a
ID  
3.0A  
m
x
.
)
(
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0
.
0
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2
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7
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0
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5
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m
i
n
.
7
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.
7
5
5
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(
(
0
0
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.
3
3
0
3
5
5
)
)
8
d
i
a
.
RDS(on) 1.0  
5
.
0
8
(
0
.
2
0
0
)
t
y
p
.
FEATURES  
2
.
5
4
2
(
0
.
1
0
0
)
1
3
• AVALANCHE ENERGY RATED  
• HERMETICALLY SEALED  
• DYNAMIC dv/dt RATING  
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS  
0
1
.
.
6
1
6
4
(
(
0
0
.
.
0
0
2
4
6
5
)
)
0
0
.
.
7
8
1
6
(
(
0
0
.
.
0
0
2
3
8
4
)
)
4
5
°
TO39 – Package  
Pin 1 – Source  
Pin 2 – Gate  
Pin 3 – Drain  
Also available in a low profile version.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
Gate – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
±20V  
3A  
GS  
I
I
I
(V = 10V , T  
= 25°C)  
D
GS  
case  
(V = 10V , T  
= 100°C)  
2A  
D
GS  
case  
1
Pulsed Drain Current  
12A  
DM  
P
Power Dissipation @ T = 25°C  
case  
25W  
D
Linear Derating Factor  
0.20W/°C  
4V/ns  
3
dv/dt  
T , T  
Peak Diode Recovery  
Operating and Storage Temperature Range  
Thermal Resistance Junction to Case  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
–55 to 150°C  
5.0°C/W  
175°C/W  
J
stg  
R
R
JC  
JCA  
Notes  
1) Pulse Test: Pulse Width 300 s,  
2) @ V = 50V , L 0.100mH , R = 25 , Peak I = 1.5A , Starting T = 25°C  
2%  
BV  
DD  
G
L
J
3) @ I  
1.5A , di/dt 50A/ s , V  
, T  
150°C , SUGGESTED R = 7.5  
G
SD  
DD  
DSS  
J
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
9/00  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6800_01 SEME-LAB N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET

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