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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 90 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6798TXV | RENESAS |
获取价格 |
5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6798TXV | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6798U | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6799 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N6800 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6800 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6800 | INFINEON |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi |
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| 2N6800_01 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET |
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| 2N6800E | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| 2N6800EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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