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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6798U | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6799 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N6800 | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6800 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6800 | INFINEON | 400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi |
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| 2N6800_01 | SEME-LAB | N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET |
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