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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220SM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6798 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
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| 2N6798 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6798 | INFINEON | 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic Packagi |
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| 2N6798_10 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6798E | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6798EA | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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