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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N18 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CQCC-N18 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6796SCC5205/019 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796SCC5205/019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796TX | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6796TXV | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6796U | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6797 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 |
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| 2N6798 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR |
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| 2N6798 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6798 | INFINEON |
获取价格 |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic Packagi |
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| 2N6798_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET |
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