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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6796EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796LCC4 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6796SCC5205/019 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796SCC5205/019PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| 2N6796TX | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6796TXV | RENESAS |
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8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6796U | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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