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2N6794LCC4

更新时间： 2024-09-23 07:29:11

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N–CHANNEL POWER MOSFET

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2N6794LCC4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数：	18	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	0.11 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	3.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.5 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6794LCC4 数据手册

2N6794LCC4

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

9.14 (0.360)

8.64 (0.340)

1.27 (0.050)

1.07 (0.040)

≈ 2.16 (0.085)

12 13 14 15 16

1.39 (0.055)

1.02 (0.040)

V_DSS

500V

1.5A

I_D(cont)

R_DS(on)

7.62 (0.300)

7.12 (0.280)

0.76 (0.030)

0.51 (0.020)

Ω

3.0

0.33 (0.013)

0.08 (0.003)

Rad.

0.43 (0.017)

0.18 (0.007

Rad.

1.39 (0.055)

1.15 (0.045)

1.65 (0.065)

1.40 (0.055)

FEATURES

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

LCC4 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE

• AVALANCHE ENERGY RATING

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Underside View

Pads 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13.

Pads 4,5

Source

Gate

Pads 1,2,15,16,17,18

Pads 3,14

Drain

Not Connected

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

1.5A

(V = 10V , T

= 25°C)

case

(V = 10V , T

= 100°C)

case

Pulsed Drain Current

6.5A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

20W

Linear Derating Factor

0.16W/°C

0.11mJ

3.5V/ns

-55 to +150°C

6.25°C/W

175°C/W

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

Operating and Storage Temperature Range

stg

θJC

θJCA

Thermal Resistance Junction to Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = 50V , L ≥ 570µH , R = 25Ω , Peak I = 14A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ 14A , di/dt ≤ 140A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 7.5Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 2947

Issue 2

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6795	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-39
2N6796	INTERSIL	获取价格	8A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET
2N6796	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6796	NJSEMI	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
2N6796	SEME-LAB	获取价格	TMOS FET TRANSISTOR N - CHANNEL
2N6796	INFINEON	获取价格	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6796 with Hermetic Packagi
2N6796		获取价格	TMOS FET Enhancement N-Channel
2N6796_03	SEME-LAB	获取价格	TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL
2N6796_10	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET
2N6796E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

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