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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N678A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| 2N678B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| 2N678C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6790 | SEME-LAB |
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N–CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6790 | FAIRCHILD |
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3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power |
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| 2N6790 | INFINEON |
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200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packagi |
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| 2N6790E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790EA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6790EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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