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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6790EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6790TX | RENESAS |
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3.5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6790TXV | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6791 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N6792 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N6792TXV | RENESAS |
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2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| 2N6793 | NJSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET |
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