是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.05 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6796_03 | SEME-LAB |
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TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL | |
2N6796_10 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET | |
2N6796E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796E3 | MICROSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
2N6796EAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
2N6796LCC4 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |