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IRFF130

更新时间： 2024-01-07 16:14:02

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	327K
描述
8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRFF130 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	69 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	25 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

IRFF130 数据手册

IRFF130

Data Sheet

March 1999

File Number 1564.3

8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel

Power MOSFET

Features

• 8.0A, 100V

• r = 0.180Ω

This N-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld

effect transistor is an advanced power MOSFET designed,

tested, and guaranteed to withstand a speciﬁed level of

energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of

these power MOSFETs are designed for applications such

as switching regulators, switching convertors, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA17411.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRFF130

TO-205AF

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-205AF

SOURCE

DRAIN

(CASE)

GATE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

12 3 4 5 6 7

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IRFF130 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFF130	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF130 with Hermetic Packag
2N6796	INFINEON	功能相似	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6796 with Hermetic Packagi
2N6796E3	MICROSEMI	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

与IRFF130相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF130R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF
IRFF131	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF131	ROCHESTER	获取价格	8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRFF131R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-205AF
IRFF132	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF132R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-205AF
IRFF133	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
IRFF133R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-205AF
IRFF210	INTERSIL	获取价格	2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFF210	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T

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